半导体技术的进步促进了电力电子器件的发展和应用，也使得芯片的尺寸得以不断缩小，促进封装技术的发展和进步，产生了多样化的封装形式。当前功率器件的设计和发展具有低电感、高散热和高绝缘能力的属性特征，器件封装上呈现出模块化、多功能化和体积紧凑化的发展趋势。为实现封装器件低电感设计，器件封装结构更加紧凑，而芯片电压等级和封装模块的功率密度持续提高，给封装绝缘和器件散热带来挑战。另一方面，芯片尺寸的缩...

离子注入的优点1、可控性好，离子注入能精确控制掺杂的浓度分布和掺杂深度，因而适于制作极低的浓度和很浅的结深；2、可以获得任意的掺杂浓度分布； 3、注入温度低，一般不超过400°C，退火温度也在650°C 左右，避免了高温过程带来的不利影响，如结的推移、热缺陷、硅片的变形等；4、结面比较平坦；5、工艺灵活，可以穿透表面薄膜注入到下面的衬底中，也可以采用多种材料作掩蔽膜，如SiO，、金属膜或光刻...

现有的封装结构和监测方式极大地提高了Si基功率模块工作的稳定性。但面对SiC功率模块的高频率和高电压的工况，现有封装结构在封装寄生参数和散热能力方面均无法满足需求。为解决现有封装结构直接用于SiC模块封装存在的问题，新的封装结构被提出，如直接导线键合(DLB)、柔性封装(FPC)和叠层封装。因新封装类型应用不广泛，还未有针对性的失效监测研究出现。1、 DLB封装 为了减小引线的接...

IGBT功率模块工作在多场耦合的环境中，封装状态参数受到多物理场控制。因此，对单个状态参数进行监测难以反应封装的真实情况。同时SiC器件高频和高压特点对监测采样提出了更高的硬件要求。针对这些问题，一些新的监测方案被提出，如多参数诊断监测、主动监测、非接触式监测和压缩采样时间监测等。1、多参数监测为解决单参数检测无法提供准确判定的问题，有文献提出了多输入单输出的神经网络监测方法，将功率模块的输...

露点换算为ppm按下式计算：P/1013×104露点换算为g/m3 (20℃，101.3Kpa）按下式计算：P/101.3*18.01/22.41*273.1/293.1式中：Ｐ—出露温度下冰的饱和蒸气压，Ｐa。露 点PPm绝 对 湿 度露 点PPm绝 对 湿 度露 点PPm绝 对 湿 度060334.517-42100.90.07555-840.27640.0002070-251113.8...

现有的封装结构和监测方式极大地提高了Si基功率模块工作的稳定性。但面对SiC功率模块的高频率和高电压的工况，现有封装结构在封装寄生参数和散热能力方面均无法满足需求。为解决现有封装结构直接用于SiC模块封装存在的问题，新的封装结构被提出，如直接导线键合(DLB)、柔性封装(FPC)和叠层封装。因新封装类型应用不广泛，还未有针对性的失效监测研究出现。1、 DLB封装为了减小引线的接触电阻和电感，...

集体电路(IC)发明至今已有50多年，自1991年问世以来，国际半导体技术蓝图(International Technology Roadmap for Semiconductors，ITRS)一直是半导产业往前迈进的指南，蓝图预测半导体技术会遵循摩尔定律(Moore's Law)的缩放节奏迈进。不过，在2016年7月ITRS所释出的半导体产业「未来蓝图」报告显示，估计微处理器中的晶体管体积...

世界电子测量行业已经发展了很多年了，到现在为止，市场高度集中。四大巨头分别是美国的是德科技、泰克、力科，德国的罗德与施瓦茨，这四大巨头都是历史悠久、传承有序的古董型企业。历史悠久当然不代表好，尤其是日新月异的科技行业。可电子测量仪器高度依赖的两大类芯片，ADC（Analog-to-Digital Converter）和DSP（Digital Signal Processing），这个市场看上...

常用的可测性设计方法包括基于扫描链（scan chain）的测试方法和内建自测试电路。扫描链（SC）设计时序电路的直接测试往往是难以实现的，扫描设计通常能很好的解决之一问题。扫描设计的主要思想就是把难以进行测试的电路转化为可测的电路。要实现这一目标，需要把电路中原有的一般触发器用可观测可控制的扫描触发器进行代替，这些扫描触发器串接到一起形成扫描链（Scan Chain，SC），那么，在测试模...

一、封装结构为解决高功率密度下IGBT 功率模块散热问题，1993 年日本富士公司提出 u-stack 封装，经过多年的发展，形成了弹簧式和直接接触式两种压接封装。直接压接封装是通过两个钼片将芯片的发射极和集电极引出，栅极通过一个小探针引出。因此，直接压接封装具有双面散热通道，但由于各部件间均为刚性连接，结构和材料更易疲劳。弹簧压接封装则是通过蝶形弹簧和栅极连接板将发射极和栅极引出。这种封装...

Isub测试条件以NMOS的村底电流为例，解释村底电流的物理机理。NMOS的衬底电流Isub，是空穴流向村底形成的，因为沟道中的电子流通过源和漏之间的电场加速形成高速电子流，高速电子流会撞击漏端附近耗尽区(也称夹断区)的电子空穴对商化出热空穴和热电子，热空穴会被低电位的衬底收集形成衬底电流Isub，热电子会在栅极和漏极电场的作用下形成概漏电流Ig。。假设漏端附近夹新区的长度是△L，电离率是α...

大型低温制冷系统是相对于脉冲管制冷机、G-M 制冷机以及斯特林制冷机等小型制冷机而言的，它是以膨胀机为核心产冷部件、并形成回路的制冷系统。其中大型氦低温系统（主要包括氦制冷机和氦液化器）是指以氦为工质采用透平膨胀机的大型低温系统。其被广泛应用于散裂中子源、正负电子对撞机和超导托卡马克等大科学装置中，目的是冷却超导线圈等热负载。伴随低温超导、核能与高能物理等科学技术近年来的迅猛发展，相关学科对...

基于磁热效应的固态制冷技术-磁制冷技术，具有绿色环保、潜在高效、噪音小、振动小等特点，有望成为具有竞争力和应用前景的制冷技术之一。由于空间探测器等技术的需求，绝热去磁低温技术得以快速地发展，随后室温磁制冷技术逐渐兴起。本文结合旋转式Halbach磁路技术与多轴同步控制技术，搭建出一台小体积、旋转内磁体式室温磁制冷系统，并进行了初步实验研究。 在变化磁场中某些磁性材料存在励磁放热...

WAT测试结构通常包含该工艺平台所有的有源器件和无源器件，例如方块电阻通孔接触电阻、电容阻值、金属导线电阻、MOS晶体管等。根据CMOS工艺技术平台的特点，可以把WAT测试类型分为八大类：MOS晶体管、栅氧化层的完整性、多晶硅栅场效应晶体管（Poly Field Device）和第1层金属栅场效应晶体管（Metal 1 Field Device）、N型结(N-diode结构)和P型结（P-d...

BVgox的测试条件栅氧化层电容的介质是二氧化硅.由于二氧化硅是绝缘体，在一般情况下是不导电的。但是当有一个外加电场存在时，随着外加电场的不断增大，当外加电场强度所提供的能量足以把一部分价带的电子激发到导带时，这个时候二氧化硅不再表现为绝缘性质，而是开始导电，这个时候所加的外加电压的值就是我们所测试的电容击穿电压值。测量NMOS栅氧化层击穿电压BVgox，首先在栅电容的一端多晶硅栅上加载DC...

芯片在封装完毕后，可能存在潜在缺陷，这些会导致芯片性能不稳定或者功能上存在潜在缺陷，如果这些存在潜在缺陷的芯片被用在关键设备上，有可能发生故障，造成用户财产损失或者生命危险。而老化试验的目的就是在一定时间内，把芯片置于一定的温度下，再施于特定的电压，加速芯片老化，使芯片可靠性提前度过早期失效期，直接到达偶然失效期（故障偶发期），保证了交到顾客手中的芯片工作性能的稳定性和可靠性。 常见的老化使...

1、功能设计阶段：设计目标产品的应用场合，设定一些诸如功能、性能、接口规格、温度、功耗等指标，作为后续电路设计的输入依据。根据市场和公司需求，完成芯片总体结构、规格参数、模块划分、使用技术以及各个功能模块的详细定义。总体设计规划完成后，再制定各个维度的设计方案。芯片设计方案按照自顶向下方式，逐级分解设计模块，形成各个模块的设计方案。2、设计描述和行为级验证：依据芯片总体设计需求，可将SoC划...

MEMS是一种制造技术，诸如杠杆、齿轮、活塞、发动机甚至蒸汽机都是由MEMS制造的。相比于芯片制造业越来越被普通人熟知，而与芯片采用相同工艺的MEMS技术显得有些神秘。什么是MEMS？MEMS是Micro Electro Mechanical Systems（微机电系统）的缩写，具有微小的立体结构（三维结构），是处理各种输入、输出信号的系统的统称，是利用微细加工技术，将机械零零件、电子电路、...

在晶圆上完成电路图的光刻后，就要用刻蚀工艺来去除任何多余的氧化膜且只留下半导体电路图。要做到这一点需要利用液体、气体或等离子体来去除选定的多余部分。刻蚀的方法主要分为两种，取决于所使用的物质：使用特定的化学溶液进行化学反应来去除氧化膜的湿法刻蚀，以及使用气体或等离子体的干法刻蚀。1、湿法刻蚀使用化学溶液去除氧化膜的湿法刻蚀具有成本低、刻蚀速度快和生产率高的优势。然而，湿法刻蚀具有各向同性的特...

一、测试信号的流动 一台两通道的函数发生器可以连接到一台被测设备的多个点上。其中会用到一个小型的开关子系统来分配函数发生器的输出。开关和仪器的输入和输出连接到一个共用的接收面板上，然后再接到一个针对被测设备的适配器上，然后适配器接到被测设备上。 信号通过的路径上存在多个会破坏信号完整性的节点。例如，一个被测设备需要一个具有宽度和上升/下降时间的输入脉冲来开启...

一、通道电阻 通道电阻是由于线缆、连接器和开关的存在而在信号路径上增加的电阻。关于电阻在电路中的作用，有一些基本常识，比如电阻作为滤波网络的一部分可以减少噪音干扰，或作为衰减器将高电压信号引入可接受范围的连接设备中。但另一方面，电阻也对互连系统造成不良的电压降、传输信号衰减以及发热等一些副作用。在信号路由系统中的电阻会使得信号在到达终点的过程中出现部分流失。二、信号路由和交流...

半导体产业是构建在我国战略科技力量自强自立的关键支撑点产业链，而半导体零部件乃是确定在我国半导体产业链高质量发展重要行业。半导体零部件产业链一般具有较高的技术密集、学科交叉融合、市场容量占有率较小分散化，但价值上却至关重要等优点。1.技术密集，对精度和可靠性要求很高。相较于其他行业基本零部件，半导体零部件由于要用以精确的半导体生产制造，其尖端科技集中的特性尤为明显，拥有高精度、批量小、多品种...

半导体制造CVD/ALD工艺用的气体，主要包含：Low-K、High-K、阻挡层和Chamber Clean用气体，相关工艺具体使用哪些电子气体呢？中冷低温科技研发的高低温冲击气流仪和Chamber使用洁净的压缩空气（需过滤油脂/油分子/水分/微尘）或者纯度≥99.5%的氮气，气体含油量油分子：≤ 0.01ppm，过滤至0.1um的油雾污染物，进气压力90 ~ 110 PSI （...

随着时代的发展,很多新兴的产业和词语被广泛的应用起来.气体管道工程也逐渐被大家熟知。气体管道工程在生产、生活各方面都有所应用、但是气体管道工程施工技术要求及验收标准是优么呢?下面就来给大家简单介绍一下:气体管路工程施工规范1、进行配管焊接时，必须穿戴上干净无尘室专用手套及护具。2、配管材料气体接触部分，不可用污秽的手套或用手直接触摸。3、配管时必须使用超高纯度氩气作为焊接之气体，施工完后所有...

半导体生产流程由晶圆制造，晶圆测试，芯片封装和封装后测试组成，而测试环节主要集中在WAT，CP和FT三个环节。图1 集成电路设计、制造、封装流程示意图WAT（Wafer Acceptance Test）测试，也叫PCM（Process Control Monitoring），对Wafer 划片槽（Scribe Line）测试键（Test Key）的测试，通过电性参数来监控各步工艺是否正常和...

芯片从设计到成品有几个重要环节，分别是设计->流片->封装->测试，但芯片成本构成的比例确大不相同，一般为人力成本20%，流片40%，封装35%，测试5%【对于工艺，流片成本可能超过60%】。测试是芯片各个环节中“便宜”的一步，但测试是产品质量重要一关，若没有良好的测试，产品PPM【百万失效率】过高，退回或者赔偿都远远不是5%的成本能代表的。芯片需要做哪些测试呢？主要分三大类：芯片功能测试...

在实验室操作中，每天都会使用到各种化学药品、化学试剂、生物试剂、仪器设备，某些实验条件下，还会遭受诸如：高温、低温、高压、真空和辐射源的伤害，特别是使用气体时，对气体存储安置不当，如平放或倒置气瓶、气体阀门长时间不检修造成气体泄漏所引起的毒害，爆炸等潜在危险情况。让我们一起来了解气体的禁忌吧!

成都中冷低温ThermoTST TS系列超高速高低温气流冲击机, 移动型便携式设计, 提供清洁干燥的冷热循环冲击气流. ThermoTST TS系列热流仪提供快速精准的测试温度, 适合模拟各种温度测试和调节的应用, 广泛应用于集成电路 IC 卡, 电子芯片, 闪存, 光纤收发器或电子电路的在线式高低温循环试验热测试循环, 高低温冲击测试 Thermal shock, 产品特性分析等. ...

现在被称作半导体器件的种类如下所示。按照其制造技术可分为分立器件半导体、光电半导体、逻辑IC、模拟IC、存储器等大类，一般来说这些还会被再分成小类。IC除了在制造技术上的分类以外，还有以应用领域、设计方法等进行分类，如按其所处理的信号可以分成模拟、数字、模拟数字混成及功能IC，以及按IC、LSI、VLSI（超大LSI）及其规模进行分类等。如下图表：

尽管全行业仍在努力推动开发和采用全自动“熄灯”制造系统，但相当一部分涉及制造的活动仍然需要人手的技能和灵巧性。在制造业中使用虚拟现实（VR）和增强现实(AR)可以帮助人类精确和地执行这些任务…

随着SiC MOSFET制备技术的改进和驱动问题的解决，其将在电力电子的高频开关领域得到广泛地应用。SiC器件漂移层的阻抗比Si器件低，不需要进行电导率调制就能够以MOSFET实现高耐压和低阻抗。

成都中冷低温科技有限公司ThermoStream TS系列高低温测试机可与爱德万 advantest，泰瑞达 teradyne，惠瑞捷 verigy 测试系统，是德keysight仪器联用，进行半导体芯片高低温测试。

电源芯片在出厂时需要经过测试芯片在快速变温过程中的稳定性, 这点十分重要。成都中冷低温科技ThermoTest高低温冲击测试机提供 -100°C 至 +350°C 快速温度冲击范围, 满足各类PMIC电源管理芯片的高低温冲击测试。

随着半导体产业受到的关注越来越多，半导体产业链也活跃了起来。尤其是在全球芯片产能紧张的情况下，半导体设备市场的发展成为了业界关注的焦点。